专利名称：磁传感器和使用它的磁存储器专利类型：发明专利
发明人：拉约斯·瓦尔加,清水丰,江口伸,田中厚志申请号：CN01103366.5申请日：20010202公开号：CN1319900A公开日：20011031
摘要：一种磁传感器,其包括由软铁磁材料的第一磁性层、非磁性层、铁磁材料的第二磁性层和反铁磁层构成的层状结构和用于检测外部磁场变化为电阻变化并将其输出的转换元件,至少一部分第一磁性层由Ni－Fe材料构成,以wt%计算的Ni含量X和以纳米表示的其厚度t满足上式表示的关系:其中,B=－53.78J/cm,B=－0.6638J/cm,B=1.7548×10J/cm,B=－2.432×10J/cm。还公开了一种包括磁头和磁记录介质的磁存储器,其中磁头使用根据本发明的磁传感器。
申请人：富士通株式会社
地址：日本神奈川
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王以平
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