一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201010520266.0 （22）申请日 2010.10.20

（71）申请人 中国科学院半导体研究所

地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

（10）申请公布号 CN102136492A

（43）申请公布日 2011.07.27

（72）发明人 李越强;王晓东;徐晓娜;刘雯;陈燕玲;杨富华 （74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司

代理人 周国城

（51）Int.CI

H01L29/772; H01L29/778; H01L21/335;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法

（57）摘要

本发明公开了一种基于自组织量子点的存

储器及其制备方法，该存储器利用量子点作为载流子储存单元，一个信息位(bit)的两种状态(“0”和“1”)用量子点(QD)的两种充电状态来表示。量子点位于p-n结耗尽区之内，利用耗尽区实现存储器的两种操作，“写入”和“存

储”。一个二维电子气(2DEG)沟道层位于量子点层之下，p-n结耗尽区之外，通过其实现存储器的“读出”和“擦除”操作。本发明结构简单，制备工艺简单有效，综合了目前市场上主流存储器，即动态随机存储器(DRAM)和闪存的优点，具有读、写、擦除速度快，可实现非挥发性存储，寿命长，耗电少，工作电压较低等优点，并且也是一种实现高速逻辑的可行方法。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2011-07-27 公开

2011-09-07 实质审查的生效 2013-01-02 授权 2014-12-10

专利权的终止

法律状态

公开

实质审查的生效 授权 专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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