专利名称：蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及半导体装置专利类型：发明专利发明人：西田知矢
申请号：CN200410098073.5申请日：20041202公开号：CN1624880A公开日：20050608
摘要：一种蚀刻方法中，在与蚀刻时间无关地确定蚀刻量的条件下，根据执行蚀刻工艺的次数来控制蚀刻量。从而，可以用步进法(step－by－step manner)进行蚀刻，由此能够高精度地控制蚀刻量。
申请人：索尼株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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