专利名称：一种制备纳米级PMOS控制电路的方法专利类型：发明专利
发明人：张琦,舒钰,胡霄,曹有权申请号：CN201510823282.X申请日：20151124公开号：CN105470142A公开日：20160406
摘要：本发明提供了一种制备纳米级PMOS控制电路的方法，首先制造出N阱，并在N阱上生长Poly-Si/SiO/Poly-Si多层结构；将最上层的Poly-Si刻蚀窗口，再淀积一层SiO；刻蚀掉表面的SiO层，只保留窗口侧面的SiO；利用不同的刻蚀比刻蚀掉上层的Poly-Si，刻蚀掉其它区域的SiO和Poly-Si，保留侧壁下面的SiO和Poly-Si，形成栅极；离子注入自对准形成PMOSFET的源、漏区，形成PMOSFET器件；光刻器件的互连线形成PMOS集成电路。本发明能够在微米级硅集成电路加工工艺平台上，不改变现有SPIN二极管制造设备和增加成本的条件下制备出65～90nm的PMOS控制电路。
申请人：中国电子科技集团公司第二十研究所
地址：710068 陕西省西安市雁塔区光华路1号
国籍：CN
代理机构：西北工业大学专利中心
代理人：顾潮琪
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