专利名称：沟槽MOS器件专利类型：发明专利发明人：张朝阳,殷建斐申请号：CN200910202044.1申请日：20091224公开号：CN102110687A公开日：20110629
摘要：本发明公开了一种沟槽MOS器件，包括多个MOS管单元，在所述MOS管单元旁边的N型外延层上还有SBR整流器件，其中包括N型外延层上的多个SBR沟道，每个SBR沟道上方都包括与N型外延层接触的SBR栅氧化层和该栅氧化层上面的SBR多晶硅栅，所述SBR沟道之间还包括有P型SBR本体，在P型SBR本体与所述SBR栅氧化层相接触的位置还有SBR漏区，源极金属将所述MOS管的源极、SBR多晶硅栅以及SBR漏区短接。本发明将沟槽MOS管与SBR整流器集成在一起，大大提高了沟槽MOS器件的可靠性和浪涌能力，并且提高了器件的集成度。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：顾继光
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