专利名称：半导体激光器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：和田一彦
申请号：CN200610073814.3申请日：20060330公开号：CN1841865A公开日：20061004
摘要：本发明涉及一种半导体激光器件及其制造方法。在n型GaAs衬底19上形成n型GaAs缓冲层20、非掺杂AlGaAs光导评估层21、n型AlGaAs第一覆层22、n型AlGaAs第二覆层23、非掺杂AlGaAs第一光导层24、非掺杂AlGaAs量子阱有源层25、非掺杂AlGaAs第二光导层26、p型AlGaAs第一覆层27、p型GaAs蚀刻停止层28、p型AlGaAs第二覆层29和p型GaAs帽层30。光导评估层21的Al晶体混合比例等于第一和第二光导层24、26的Al晶体混合比例。该半导体激光器件允许容易而高精度地控制光导层的层厚和材料组分。
申请人：夏普株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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