专利名称：集成电路器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：张正伟,王菘豊,刘奕莹,朱家宏,李芳苇申请号：CN202011053000.X申请日：20200929公开号：CN112582407A公开日：20210330
摘要：在一些实施例中，本发明涉及集成电路器件。晶体管结构包括通过栅极电介质与衬底分隔开的栅电极和设置在位于栅电极的相对侧上的衬底内的一对源极/漏极区域。下导电插塞设置为穿过下层间介电(ILD)层并且接触第一源极/漏极区域。覆盖层设置在下导电插塞正上方。上层间介电(ILD)层设置在覆盖层和下ILD层上方。上导电插塞设置为穿过上ILD层并且位于覆盖层正上方。本发明的实施例还涉及制造集成电路器件的方法。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹
国籍：CN
代理机构：北京德恒律治知识产权代理有限公司
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