专利名称：半导体封装结构及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：齐彦尧,刘乃玮,于达人,林子闳,许文松申请号：CN201910849994.7申请日：20190902公开号：CN110911371A公开日：20200324
摘要：本发明公开一种半导体封装结构，包括：半导体晶粒，具有第一表面，与所述第一表面相对的第二表面，以及邻接在所述第一表面和所述第二表面之间的第三表面；第一保护绝缘层，覆盖所述半导体晶粒的第一表面和第三表面；重分布层结构，电耦合到所述半导体晶粒并由所述半导体晶粒的第一表面上的第一保护绝缘层围绕；第一钝化层，覆盖所述第一保护绝缘层和所述重分布层结构；以及至少一个导电结构，穿过所述第一钝化层并电耦合到所述重分布层结构。第一保护绝缘层覆盖或封装半导体晶粒，以保护半导体晶粒免受环境影响，从而防止半导体晶粒由于例如应力，化学物质和/或湿气而损坏，并且在随后的制程期间保持半导体封装结构的可靠性。
申请人：联发科技股份有限公司
地址：中国台湾新竹市新竹科学工业园区笃行一路一号
国籍：CN
代理机构：深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：唐双
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