专利名称：硅基负极材料、其制备方法及锂离子二次电池专利类型：发明专利
发明人：庞春雷,石晓太,汪静伟,任建国,贺雪琴申请号：CN202010712675.4申请日：20200722公开号：CN111816859A公开日：20201023
摘要：本发明公开了一种硅基负极材料、其制备方法及用途，所述硅基负极材料包括内核，所述内核包括硅、硅氧化物及M的硅酸盐；所述硅氧化物的化学式为SiOx，0＜x＜2，所述M为金属；及碳被膜，所述碳被膜形成于所述内核的表面，所述碳被膜的厚度为50nm‑200nm。所述方法包括：对硅复合物进行碳包覆处理，以在所述硅复合物表面形成厚度为50nm‑200nm的碳被膜，得到硅基负极材料。本发明通过适宜厚度的碳被膜包覆硅复合物能够显著提升硅复合物的容量效率和循环性能。
申请人：贝特瑞新材料集团股份有限公司,惠州市鼎元新能源科技有限公司
地址：518106 广东省深圳市光明新区公明办事处西田社区高新技术工业园第1、2、3、4、5、6栋、7栋A、7栋B、8栋
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
代理人：潘登
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