专利名称：一种高透过率薄膜晶体管制备方法专利类型：发明专利
发明人：韩俊号,喻玥,马国永,何方,赵辉申请号：CN201610950927.0申请日：20161027公开号：CN106298649A公开日：20170104
摘要：本发明公开了一种高透过率薄膜晶体管制备方法，包括如下步骤：(1)在玻璃基板上从下至上依次形成第一金属层和第一绝缘层，所述第一金属层包括栅极金属线和存储电容金属线；(2)对第一绝缘层进行半蚀刻；(3)在第一绝缘层上依次形成第二金属层和第二绝缘层，第二金属层包括源极电极和漏极电极。该方法可以减小存储电容的面积，增加透过率。
申请人：南京华东电子信息科技股份有限公司
地址：210033 江苏省南京市栖霞仙林大学城天佑路7号
国籍：CN
代理机构：南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人：柏尚春
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