专利名称：ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料及其制备方
法和传感器
专利类型：发明专利
发明人：杨为家,何鑫,刘铭全,徐维,王诺媛,刘艳怡,蒋庭辉,江
嘉怡,刘均炎,陈振杰
申请号：CN201810700070.6申请日：20180629公开号：CN108956712A公开日：20181207
摘要：本发明公开了一种ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料，包括Si衬底、Si纳米柱阵列、ZnO纳米晶及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米柱阵列，所述Si纳米柱阵列表面分布有ZnO纳米晶，所述Si纳米柱阵列的顶部还设置有电极材料；还公开了该敏感材料的制备方法和传感器。通过控制Si纳米柱阵列的有序性和均一性，调控ZnO纳米晶的分布均匀性，提并利用Si纳米柱阵列的特殊光学特性及ZnO纳米晶的局域表面敏感性提高传感器的灵敏度和整体性能。
申请人：五邑大学
地址：529000 广东省江门市蓬江区东成村22号
国籍：CN
代理机构：广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人：梁嘉琦
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