专利名称：利用氧化线间隙壁与回蚀刻制造DRAM晶胞结构的
方法
专利类型：发明专利
发明人：三重野文健,李若加,陈国庆,俞昌,李奉载申请号：CN03143424.X申请日：20030930公开号：CN1604308A公开日：20050406
摘要：一种利用氧化线间隙与蚀刻制造DRAM晶胞结构的方法，该结构含晶胞阵列电路区与周边电路区；方法之步骤含依次在底材上形成氧化硅层、第一SiN层图案与在该结构的氧化硅层形成第二SiN层图案，再在底材上形成隔离层，去除第一、二SiN图案和氧化硅层；在底材上依次形成闸氧化层、多晶硅层、金属硅化层、抗反射层和第三SiN层，逐一回蚀刻至氧化硅层裸露，在第三SiN层与氧化硅层上形成第四SiN层、蚀刻周边电路区第四SiN层至第三SiN层裸露；在第四、三SiN层和氧化硅层上形成玻璃层，在晶胞阵列电路区逐一回蚀刻至底材表面裸露形成插塞区，以CMP平坦化至第三氮化硅层表面裸露；在玻璃层、第四、三SiN层与底材上形成金属层以CMP平坦化至它们的上表面裸露。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海隆天新高专利商标代理有限公司
代理人：谢晋光
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